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產(chǎn)品中心環(huán)保類(lèi)檢測(cè)儀器電磁輻射分析儀/場(chǎng)強(qiáng)儀器H-1電磁輻射分析儀1hz-100khz（場(chǎng)強(qiáng)儀）
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
H-1電磁輻射分析儀1hz-100khz（場(chǎng)強(qiáng)儀）H-1 型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀，依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研制開(kāi)發(fā)，滿足國(guó)家職業(yè)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)（GBZ/T189.3-2018）《工作場(chǎng)所物理因素測(cè)量第 3 部分，1Hz~100KHz 電場(chǎng)和磁場(chǎng)》等相關(guān)測(cè)試要求。
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產(chǎn)品分類(lèi)| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) | 儀器種類(lèi) | 計(jì)量/劑量率儀 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保 |
H-1電磁輻射分析儀1hz-100khz（場(chǎng)強(qiáng)儀） 產(chǎn)品介紹：
H-1 型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀，依據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)研制開(kāi)發(fā)，滿足國(guó)家職業(yè)衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)（GBZ/T189.3-2018）《工作場(chǎng)所物理因素測(cè)量第 3 部分，1Hz~100KHz 電場(chǎng)和磁場(chǎng)》等相關(guān)測(cè)試要求。
儀器基本原理及組成
儀器配有一個(gè)各項(xiàng)同性電場(chǎng)測(cè)試探頭，具有全向探測(cè)功能，測(cè)試頻率范圍寬，動(dòng)態(tài)范圍大的特點(diǎn)、均方根值顯示；利用數(shù)據(jù)采集、處理、顯示和校準(zhǔn)技術(shù)，確保了儀器讀數(shù)清晰、準(zhǔn)確；功能完善，性能穩(wěn)定可靠，適用于危害電磁輻射場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試。H-1 型低頻電磁場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試儀由三維電場(chǎng)探頭、數(shù)據(jù)采集及處理、顯示等部分組成。
H-1電磁輻射分析儀1hz-100khz（場(chǎng)強(qiáng)儀） 技術(shù)參數(shù)
1、測(cè)試頻率范圍：1Hz-100KHz；
2、電場(chǎng)測(cè)試范圍：10V/m-50kv/m
3、頻響誤差：±3dB
4、各向同性誤差：±1dB
5、測(cè)試誤差：±1dB
設(shè)備配置清單：
1.主機(jī)一臺(tái)
2.1Hz-100KHz 三維電場(chǎng)探頭一個(gè)
3.9V 充電電池 2 個(gè)，充電器一個(gè)
4.儀器使用說(shuō)明書(shū)
5.儀器箱
儀器使用說(shuō)明操作步驟：
儀器使用操作分別由【k1】、【k2】、【k3】鍵完成。具體操作方法如下：
1. 按下【k1】鍵，儀器開(kāi)機(jī)，顯示屏顯示 H-1，及出廠日期，進(jìn)入工作狀態(tài)；
2. 利 用 【 k2 】 鍵 選 擇 工 頻 （ 1Hz~100Hz ） 還 是 低 頻 測(cè) 量（100Hz~100KHz）；
3. 當(dāng)測(cè)試探頭鎖定，測(cè)試狀態(tài)選擇工頻還是低頻操作完成后，利用【k3】鍵完成校零，即進(jìn)入測(cè)試狀態(tài)。
4. 儀器校零操作
測(cè)試參數(shù)選擇完成后，即可進(jìn)入正常測(cè)試，此時(shí)若 LCD 屏顯示值沒(méi)有歸零，則利用【k3】健進(jìn)行校零，釋放【k3】健為校零狀態(tài)，顯示為“-E-”，按下【k3】健為校零完成，此校零操作可反復(fù)進(jìn)行，直至滿意。然后將探頭移至預(yù)先選定的測(cè)試部位，進(jìn)行測(cè)量。
5. 注意：校零時(shí)探頭應(yīng)盡量遠(yuǎn)離電磁輻射源或?qū)⑻筋^置于電磁屏蔽罩中，以確保測(cè)試數(shù)據(jù)的有效性和準(zhǔn)確性。
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